灣邊貿(mào)易供應(yīng)美國(guó)sinton WCT-120 Suns-Voc少子壽命測(cè)試儀
 美國(guó)sinton WCT-120 Suns-Voc少子壽命測(cè)試儀器采用了獨(dú)特的測(cè)量和分析技術(shù)，包括類似平穩(wěn)狀態(tài)photoconductance (QSSPC)測(cè)量方法。可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT一個(gè)高度被看待的研究和過(guò)程工具。QSSPC終身測(cè)量也產(chǎn)生含蓄的打開(kāi)電路電壓(對(duì)照明)曲線，與I-V曲線是可比較的在一個(gè)太陽(yáng)能電池過(guò)程的每個(gè)階段。sinton WCT-120
WCT-120準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)法測(cè)少子壽命的原理？
 
WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)）
 
準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法（QSSPC）和微波光電導(dǎo)衰減法（MWPCD）的比較？ 
  QSSPC方法優(yōu)越于其他測(cè)試壽命方法的一個(gè)重要之處在于它能夠在大范圍光強(qiáng)變化區(qū)間內(nèi)對(duì)過(guò)剩載流子進(jìn)行絕對(duì)測(cè)量，同時(shí)可以結(jié)合 SRH模型，得出各種復(fù)合壽命，如體內(nèi)缺陷復(fù)合中心引起的少子復(fù)合壽命、表面復(fù)合速度等隨著載流子濃度的變化關(guān)系。sinton WCT-120
  MWPCD方法測(cè)試的信號(hào)是一個(gè)微分信號(hào)，而QSSPC方法能夠測(cè)試少子壽命的真實(shí)值，MWPCD在加偏置光的情況下，結(jié)合理論計(jì)算可以得出少子壽命隨著過(guò)剩載流子的變化曲線，而QSSPC直接就能夠測(cè)得過(guò)剩載流子濃度，因此可以直接得出少子壽命與過(guò)剩載流子濃度的關(guān)系曲線，并且得到PN結(jié)的暗飽和電流密度；MWPCD由于使用的脈沖激光的光斑可以做到幾個(gè)到十幾個(gè)，甚至更小的尺寸，在照射過(guò)程中，只有這個(gè)尺寸范圍的區(qū)域才會(huì)被激發(fā)產(chǎn)生光生載流子，也就是得到的結(jié)果是局域區(qū)域的差額壽命值，這對(duì)于壽命分布不均勻的樣品來(lái)說(shuō)，結(jié)果并不具備代表性。sinton WCT-120
美國(guó)sinton WCT-120 Suns-Voc少子壽命測(cè)試儀的主要特點(diǎn):
適應(yīng)低電阻率樣片的測(cè)試需要，樣品電阻率可達(dá)0.1ohmcm
全自動(dòng)操作及數(shù)據(jù)處理
對(duì)太陽(yáng)能級(jí)硅片，測(cè)試前一般不需鈍化處理
能夠測(cè)試單晶或多晶硅棒、片或硅錠
可以選擇測(cè)試樣品上任意位置
能提供專利的表面化學(xué)鈍化處理方法
對(duì)各道工序的樣品均可進(jìn)行質(zhì)量監(jiān)控：
硅棒、切片的出廠、進(jìn)廠檢查
擴(kuò)散后的硅片
表面鍍膜后的硅片以及成品電池
測(cè)量原理  QSSPC（準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)）  
少子壽命測(cè)量范圍  100 ns-10 ms
測(cè)試模式：QSSPC,瞬態(tài)，壽命歸一化分析
電阻率測(cè)量范圍  3–600 (undoped) Ohms/sq.
注入范圍：1013-1016cm-3
感測(cè)器范圍 直徑40-mm
測(cè)量樣品規(guī)格 標(biāo)準(zhǔn)直徑: 40–210 mm （或更小尺寸）
硅片厚度范圍  10–2000  μm
外界環(huán)境溫度  20°C–25°C
功率要求 測(cè)試儀: 40 W   電腦控制器：200W 光源：60W
通用電源電壓  100–240 VAC 50/60 Hz
美國(guó)sinton WCT-120 Suns-Voc少子壽命測(cè)試儀
源自：深圳市灣邊貿(mào)易有限公司
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美國(guó)sinton WCT-120 Suns-Voc少子壽命測(cè)試儀
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