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場效應管：MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。

 

金屬氧化物半導體場效應三極管的基本工作原理是靠半導體表面的電場效應，在半導體中感生出導電溝道來進行工作的。當柵G電壓VG增大時，p型半導體表面的多數(shù)載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當表面達到反型時，電子積累層將在n+源區(qū)S和n+漏區(qū)D之間形成導電溝道。

 

當VDS≠0時，源漏電極之間有較大的電流IDS流過。使半導體表面達到強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓VT。當VGS>VT并取不同數(shù)值時，反型層的導電能力將改變，在相同的VDS下也將產(chǎn)生不同的IDS,實現(xiàn)柵源電壓VGS對源漏電流IDS的控制。

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